TSV

技术特点

TSV(Through Silicon Via),直接在硅衬底上制作穿孔,实现垂直方向上的电学互连。大幅提升信号传输速度,有效降低信号损耗。

技术优势

大幅缩减电学互连线路路径,降低传输损耗,提升产品性能,降低能耗;

提高集成度,有效降低封装几何尺寸和重量;

可以把多种功能的芯片(如逻辑、存储、射频、光电子和MEMS等)集成在一个模块里而实现某种系统要求。

封装结构